大面積燒結銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的
傳統(tǒng)功率模塊中，芯片通常通過錫焊材料連接到基板。在熱循環(huán)過程中，連接界面通過形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯(lián)

2018年標志性的轉變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅逆變器中，為碳化硅技術在電動汽車中的廣泛應用奠定了基礎。此后，多家國內新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應用。新技術的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場的持續(xù)擴張，促進了碳化硅的飛速發(fā)展。

隨著800V碳化硅技術日益普及，善仁新材的燒結銀技術為汽車電力電子產(chǎn)品封裝提供了革命性的解決方案，其應用前景備受關注。

從2017年起，善仁新材在燒結銀材料的研發(fā)與生產(chǎn)方面走在行業(yè)，提供多款產(chǎn)品以適應各種應用場景。從AS9000系列銀墨水，到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結銀膏，善仁新材一直燒結銀的技術應用，以滿足市場的多樣化需求。

AS9378燒結銀的低溫低壓燒結效果好：為了適應大面積燒結，燒結銀膏需要較低的溫度和壓力下達到良好的燒結效果，同時需要確保燒結質量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

功率模塊封裝技術的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動車的應用中。這導致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結構化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。