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　　良的晶體管結構，其中通道的所有面都與柵極，這樣就可以實現連續(xù)縮放采用這種結構的晶體管就被稱為全包圍柵極(GAA)晶體管，目前已經出現多種該類晶體管的變體早期的GAA器件使用垂直堆疊納米薄片的，即將水平放置的薄片相互分開地置入柵極之中相對于FinFET，這種下的通道更容易控制而且不同于FinFET并排多個鰭片才能電流，GAA晶體管只需多垂直堆疊幾個納米薄片并讓柵極包裹通道就能夠更強的載流能力這樣，只需要縮放這些納米薄片就可以特定性能要求的晶體。

 

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