近年來(lái)以善仁新材開(kāi)發(fā)的納米燒結(jié)銀技術(shù)為代表的低溫連接技術(shù)是目前功率器件朝耐高溫、高可靠性應(yīng)用發(fā)展的主要趨勢(shì)，其基本原理是利用納米尺度下金屬顆粒的高表面能、低熔點(diǎn)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板的低溫低壓燒結(jié)互連。

③燒結(jié)完成后形成SiC-Cu基板納米燒結(jié)銀互連層?？梢钥吹剑迫市虏牡募{米銀燒結(jié)互連層是碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)單元，屬于薄層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過(guò)鍍銀、金等燒結(jié)工藝提升其互連層的連接強(qiáng)度。

善仁新材另外發(fā)現(xiàn)在燒結(jié)工藝中引入超聲振動(dòng)能夠提高燒結(jié)銀尺寸和密度，并發(fā)現(xiàn)其在處理燒結(jié)不充分的邊緣地方，能減小過(guò)度區(qū)，提高納米燒結(jié)銀互連層的連接強(qiáng)度；通過(guò)引用脈沖電流影響燒結(jié)工藝，能夠在3分鐘的快速燒結(jié)中，得到剪切強(qiáng)度為30-35MPa的工藝方法。

燒結(jié)納米銀導(dǎo)熱率及孔隙關(guān)系
孔隙對(duì)于熱傳導(dǎo)性能的影響會(huì)很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結(jié)銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會(huì)使得周圍的熱流密度變低，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導(dǎo)率依次減少?？障堵试降?，導(dǎo)熱系數(shù)越高，空隙率越高，導(dǎo)熱系數(shù)越低。

總結(jié)和結(jié)論
本文通過(guò)對(duì)納米燒結(jié)銀互連層的形成原理、工藝、燒結(jié)后的微觀形態(tài)及熱、力學(xué)性能、蠕變本構(gòu)等方面進(jìn)行了簡(jiǎn)要綜述。

隨著全球無(wú)鉛化的推進(jìn)，善仁新材的納米燒結(jié)銀時(shí)替代焊錫膏作為連接材料的候選材料之一，特別是在混動(dòng)和電動(dòng)汽車，高鐵，航空航天，太陽(yáng)能，深井石油開(kāi)采等需要在200度惡劣環(huán)境下的各種工作應(yīng)用，必將成為主流的互連材料之一。