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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)為便于分析研究起見，將整個除塵過程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段　均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實質(zhì)也是粉塵濃縮的階段。分離階段　高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機理在起作用：氣體運載粉塵的能力將達到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關(guān)。

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單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點\單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機、加熱電源和計算機控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機部分：機架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關(guān)電源。采用移相全橋軟開關(guān)（ZVS）及CPU控制技術(shù)，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補償裝置。3、計算機控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機，配備大屏幕觸摸式HMI人機界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識產(chǎn)權(quán)的“全自動Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過程自動控制。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，鍛造加熱[用于棒料、圓鋼，方鋼，鋼板的透熱，補溫，蘭淬下料在線加熱，局部加熱，金屬材料在線鍛造（如齒輪、半軸連桿、軸承等精鍛）、擠壓、熱軋、剪切前的加熱、噴涂加熱、熱裝配以及金屬材料整體的調(diào)質(zhì)、退火、回火等。] 熱處理調(diào)質(zhì)生產(chǎn)線[主要供軸類（直軸、變徑軸，凸輪軸、曲軸、齒輪軸等）；齒輪類；套、圈、盤類；機床絲杠；導(dǎo)軌；平面；球頭；五金工具等多種機械（汽車、摩托車）零件的表面熱處理及金屬材料整體的調(diào)質(zhì)、退火、回火]等。歡迎現(xiàn)場看貨。