IGBT模塊的正式名稱是絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bi*olar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）。?

IGBT模塊是一種結(jié)合了雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，具有驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、飽和壓降低、容量大等特點(diǎn)。

IGBT模塊在電力電子系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，特別是在變流系統(tǒng)、變頻器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。它能夠?qū)⒏邏褐绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電，是逆變器的核心組件之一，廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。

此外，IGBT模塊的封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步，以提高其耐用性和可靠性。常見的封裝形式包括引線型、焊針型、平板式和圓盤式，封裝技術(shù)涉及散熱管理設(shè)計(jì)、超聲波端子焊接技術(shù)等?

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