GaN屬III-V族氮化物材料，是一種極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料（熔點約為1700℃）。通常條件下，GaN以六方對稱性纖鋅礦2H結(jié)構(gòu)存在, 它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。但在一定條件下也能以立方對稱性的閃鋅礦3C結(jié)構(gòu)存在。從晶體學上講，兩種結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于沿(111)晶向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm；立方GaN的晶格常數(shù)公認的數(shù)值為 0.452nm 左右。Ga溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。

特別是藍光和綠光LED，廣泛應用于大屏幕全彩顯示屏、汽車燈具、多媒體成像、LCD背光、交通燈、光纖通信、衛(wèi)星通信、海洋光通信、全息圖像顯示、圖形識別等領(lǐng)域。體積小，重量輕，驅(qū)動電壓低（3.5-4.0V），響應時間短，壽命長(。10萬小時以上，冷光源，光效高，具有防爆、節(jié)能等功能。

：主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、率、體積小、重量輕等。目前代、第二代半導體材料在輸出功率方面已達到極限并且由于GaN半導體在熱穩(wěn)定性方面的優(yōu)勢，很容易實現(xiàn)高工作脈寬和高工作比。功率增加 10 倍。