現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?[8] ●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8] ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 [8] ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 [8] 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

按照IEEE802.11協(xié)議，無線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問控制（MAC）層和物理層（PHY Layer）。在兩者之間，還定義了一個(gè)媒體訪問控制-物理（MAC-PHY）子層（Sublayers）。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口，并管理外部存儲(chǔ)器，它與無線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。