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結(jié)構(gòu)類(lèi)似傳送帶式爐) D. 連續(xù)式轉(zhuǎn)筒爐 E. 輥底爐(料盤(pán)在輥?zhàn)由线\(yùn)動(dòng)) F. 轉(zhuǎn)底爐,中頻電爐設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域: 1、機(jī)床導(dǎo)軌的淬火處理; 2、煤礦用截齒的焊接; 3、礦山用一字釬頭和梅花釬頭的焊接; 4、直徑30以下螺栓的熱變形; 5、直徑30以下的螺母的熱變形; 6、金屬粉末重熔; 7、直徑300以下鏈輪的熱處理; 8、直徑80以下軸的淬火處理; 9、直徑80以下工件的橫截面處理; 10、各種手工工具的淬火處理(錘子,斧頭,管鉗,斷線鉗)藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長(zhǎng)晶爐回收,多晶長(zhǎng)晶爐回收,臥式長(zhǎng)晶爐回收,拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法,用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,生產(chǎn),易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì),世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80%是用直拉法生產(chǎn)的。

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一種連續(xù)拉晶單晶爐背景技術(shù):目前,大多數(shù)單晶爐都是采用一次性向主爐室坩堝投料的方法,通常是生產(chǎn)完一爐后,等單晶爐冷卻后,再往主爐室坩堝內(nèi)裝料,進(jìn)行下一次生產(chǎn),這樣既浪費(fèi)了時(shí)間,又造成了熱量的流失,且在拉晶棒的過(guò)程中,不能進(jìn)行補(bǔ)料操作,在拉晶棒的后期階段,會(huì)因?yàn)楣枇现心承┰氐膿]發(fā)而影響晶棒后半部分的質(zhì)量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種連續(xù)拉晶單晶爐,它可以連續(xù)加料、連續(xù)化料,從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶,選用合適的主爐室坩堝可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉制五六根晶棒,減少了冷卻、拆爐、裝爐的時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率,也減少了熱量的流失。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種連續(xù)拉晶單晶爐,它包括括底座、主爐室、副爐室、下驅(qū)動(dòng)裝置和上驅(qū)動(dòng)裝置,所述主爐室和下驅(qū)動(dòng)裝置均安裝在底座上,