江蘇洪澤控制屏回收 江蘇洪澤長晶爐回收
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專利文獻CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長室內(nèi)的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導(dǎo)氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經(jīng)密封導(dǎo)氣裝置的導(dǎo)氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導(dǎo)氣管裝置由導(dǎo)氣管、底 座、密封環(huán)、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對加熱器和坩堝進行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內(nèi)充入時的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導(dǎo)致其流量較大，故而消耗量大，生產(chǎn)成本較高。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，以上所述的具體實施例，對本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。