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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會(huì)的基石。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當(dāng)前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實(shí)需求。同時(shí),開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場對(duì)改善晶體質(zhì)量的作用,對(duì)于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)/單晶爐是單晶體生長設(shè)備。單晶體生長要求在真空和惰性氣體中進(jìn)行。真空裝置應(yīng)能保爐體內(nèi)熱真空度達(dá)5×1024mm 柱以上。如果使用惰性氣體作保護(hù)氣氛，爐體上、下都設(shè)有進(jìn)出氣的氣口。生長單晶體時(shí)，抽真空及真空裝置注入惰性氣體后都需配備除塵裝置。西安理工大學(xué)工廠生產(chǎn)的混合式除塵器較好地解決了這一問題。本廠單晶爐系列：TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多種爐型近百臺(tái)產(chǎn)品都使用這種除塵器。實(shí)踐明，它的主要優(yōu)點(diǎn)是除塵，能適應(yīng)不同抽氣階段真空度的要求，容塵量大。其具體結(jié)構(gòu)見圖2、圖3。該除塵器綜合運(yùn)用離心力、慣性碰撞、接觸阻留、擴(kuò)散這幾種除塵機(jī)理。

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為現(xiàn)有技術(shù)的切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的直拉式單晶生長 爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的輸入管與環(huán)形氣體分布器的結(jié)構(gòu)示意圖3為實(shí)施例1中直拉式單晶生長爐的氣流導(dǎo)向裝置的結(jié)構(gòu)示意圖4為圖3的A-A剖面視圖5為為圖3的B-B剖面視圖6為實(shí)施例1中直拉式單晶生長爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖7為實(shí)施例1中直拉式單晶生長爐的另一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。