SIMOX技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是：能形成比較均勻的埋層氧化物Burried Oxide—BOX，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)控制注入能量來(lái)控制BOX上硅的厚度；BOX與頂層硅之間的界面也平整。SIMOX技術(shù)的缺點(diǎn)是：BOX和頂層硅的厚度只能在有限的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整，BOX的厚度通常不超過(guò)240nm（厚度太薄會(huì)導(dǎo)致頂層與襯底擊穿，頂層硅薄膜和襯底之間的寄生電容會(huì)增加），而頂層硅薄膜厚度不超過(guò)300nm（厚度不夠，需要進(jìn)行硅的外延來(lái)補(bǔ)足，然后CMP平坦化處理，成本過(guò)高）；另外，SIMOX還會(huì)造成表層薄膜損傷，頂層硅薄膜的晶體質(zhì)量不及體單晶硅，埋層SiO2的晶體質(zhì)量不如熱氧化生長(zhǎng)的SiO2；SIMOX需要用上昂貴的大束流注氧離子注入機(jī)，還需要長(zhǎng)時(shí)間的高溫退火工藝，成本較高。
詳情介紹：
高速光開(kāi)關(guān)陣列的特點(diǎn)：本系列光開(kāi)關(guān)產(chǎn)品為集成式低損耗，無(wú)阻斷高速光開(kāi)關(guān)陣列，可用于高速光切換，網(wǎng)絡(luò)配置及光學(xué)包交換。

高集成化光開(kāi)關(guān)，作為實(shí)現(xiàn)全光交換功能的核心部件，目前國(guó)內(nèi)普遍采用單器件級(jí)聯(lián)拼接的方式實(shí)現(xiàn)矩陣化。這種方案在其指標(biāo)、工藝要求、產(chǎn)品可靠性及成本等方面形成瓶頸，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)全光交換應(yīng)用在推廣性、發(fā)展難以突破。

為了對(duì)短時(shí)間大視場(chǎng)一維光強(qiáng)信息進(jìn)行采集,采用編碼轉(zhuǎn)換技術(shù)和自聚焦透鏡矩形陣列設(shè)計(jì)了光開(kāi)關(guān),用小口徑電光晶體實(shí)現(xiàn)了大視場(chǎng)的測(cè)量.采用MOS管級(jí)聯(lián)的高壓同步電路,使得系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:開(kāi)關(guān)選通時(shí)間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1

品名稱(chēng)：NxN速光開(kāi)關(guān)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
高速鈮酸速光開(kāi)光具有的開(kāi)關(guān)速度（標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是10ns，速產(chǎn)品為<100ps），較低的插損（標(biāo)準(zhǔn)插損3.5dB，插損型號(hào)為2dB），高開(kāi)關(guān)速率為亞納秒，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為10ns開(kāi)關(guān)速率，產(chǎn)品也適合領(lǐng)域的微波通信用途。通道數(shù)可定制！
光電倍增管Photomultiplier Modules
產(chǎn)品特性：
兩種波段可選：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口組件
具有防靜電和消磁作用
變換增益：陽(yáng)電流1 V/μA
鏈構(gòu)型環(huán)形電
封裝與SM1螺紋匹配
封裝含4個(gè)螺紋孔，與ER系列籠桿匹配
支桿可安裝于3種不同組件
120V電源供應(yīng)（230V可選）
SMA輸出