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為現(xiàn)有技術的切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的直拉式單晶生長 爐的剖面結構示意圖2為圖1中的輸入管與環(huán)形氣體分布器的結構示意圖3為實施例1中直拉式單晶生長爐的氣流導向裝置的結構示意圖4為圖3的A-A剖面視圖5為為圖3的B-B剖面視圖6為實施例1中直拉式單晶生長爐的剖面結構示意圖7為實施例1中直拉式單晶生長爐的另一剖面結構示意圖。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，所述氣流導向裝置的中軸孔與該爐的石墨中軸活動密封連接，以防止 因該中軸孔與石墨中軸之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導向裝置的電極孔分別與該爐的電極柱密封連接，以防止因 該電極孔與電極柱之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導向裝置的上端部的外壁與該爐的保溫筒密封連接，以防止 因氣流導向裝置的上端部的外壁與該爐的保溫筒之間的間隙而漏氣，影響 排氣效果所述氣流導向裝置各通氣孔與該爐的排氣口通過通氣管相連通，以提 高排氣效果。所述氣流導向裝置由石墨制成，石墨具有強度高、抗熱震性好、耐高 溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機加工等優(yōu)點。本發(fā)明具有積極的效果(1)

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具體實施方式、本實施例的直拉式單晶生長爐包括輸入管12、與氬 氣輸入管12相連通的環(huán)形氣體分布器11;其特征在于經(jīng)輸入管12 輸入的氣壓為0. 8 x 10a0. 9 x 10a,流量為30L/min。還包括設于該爐的坩堝支持器14下方和該爐底部的排氣口 13之間 的碗形的氣流導向裝置20;其包括設于氣流導向裝置20底部的中軸 孔2-l、設于所述中軸孔2-1兩側的一對電極孔2-2、以及設于所述中軸孔 2-1兩側并與該爐的排氣口 13相對的通氣孔2-3;該爐的石墨中軸21穿過所述氣流導向裝置20的中軸孔2-1，該爐的一對電極柱15分別穿過所述電 極孔2-2，該爐的排氣口 13與氣流導向裝置20的各通氣孔2-3相連通，氣 流導向裝置20的上端部2-4設于該爐的保溫筒17與發(fā)熱體16之間。