當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品

鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應用領域十分廣闊

中國鉭工業(yè)始于20世紀60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產規(guī)模、技術水平、產品檔次和質量狀況與發(fā)達國家比較相差甚遠。自90年代，特別是1995年以來，中國鉭生產應用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，如今，中國鉭工業(yè)已實現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內到外”的轉變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應用的工業(yè)體系，高、中、低端產品的進入了國際市場，中國成為世界鉭冶煉加工第三強國，進入世界鉭工業(yè)大國的行列

鉭是稀有金屬礦產資源之一，是電子工業(yè)和空間技術發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料

廢鉭的主要礦物有：鉭鐵礦[(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6]、重鉭鐵礦(FeTa2O6)、細晶石[(Na,Ca)Ta2O6(O,OH,F)]和黑稀金礦[(Y,Ca,Ce,U,Th)(Nb,Ta,Ti)2O6]等。煉錫的廢渣中含有廢鉭，也是廢鉭的重要資源。

鉭鈮礦中常伴有多種金屬，廢鉭冶煉的主要步驟是分解精礦，凈化和分離鉭、鈮，以制取鉭、鈮的純化合物，后制取金屬。礦石分解可采用分解法、熔融法和氯化法等。鉭鈮分離可采用溶劑萃取法〔常用的萃取劑為甲基異丁基銅(MIBK)、三丁酯 (TBP)、仲辛醇和乙酰胺等〕、分步結晶法和離子交換法。