當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。

五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結(jié)晶粉末，是鉭常見的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用，化工中可作催化劑

鉭在單質(zhì)中，僅次于碳，鎢，錸和鋨，第五。鉭富有延展性，可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點(diǎn)六。除此之外，它的韌性很強(qiáng)，比銅還要。

驗(yàn)，鉭在常溫下，對堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用，僅在氫氟酸和熱作用下有所反應(yīng)。這樣的情況在金屬中是比較的。

冶煉方法：鉭鈮礦中常伴有多種金屬，鉭冶煉的主要步驟是分解精礦，凈化和分離鉭、鈮，以制取鉭、鈮的純化合物，后制取金屬。

鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊

中國鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代，特別是1995年以來，中國鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，如今，中國鉭工業(yè)已實(shí)現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變，形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系，高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國際市場，中國成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國，進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國的行列

一般來說，廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預(yù)處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中，預(yù)處理是一個關(guān)鍵步驟，它包括去除雜質(zhì)和清洗等過程，以使廢鉭材能被重新利用。