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硅片是制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體的發(fā)展。自動(dòng)化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度。這使得硅片已廣泛應(yīng)用于航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)和，甚悄悄進(jìn)入每一個(gè)家庭。硅片回收利用介紹硅片回收再利用是一種從廢物中分離出來(lái)的有用物質(zhì)經(jīng)過(guò)物理或機(jī)械加工成為再利用的制作如廢玻璃、廢金屬、硅片，廢電池片的回收再利用指以將再次生產(chǎn)的方式。

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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)為便于分析研究起見(jiàn)，將整個(gè)除塵過(guò)程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個(gè)過(guò)程。捕集分離過(guò)程該過(guò)程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段　均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進(jìn)入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來(lái)越大，故捕集推移階段實(shí)質(zhì)也是粉塵濃縮的階段。分離階段　高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機(jī)理在起作用：氣體運(yùn)載粉塵的能力將達(dá)到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對(duì)矛盾中，沉降成為主要方面，通過(guò)沉降，粉塵從氣體中分離出來(lái)。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關(guān)。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，而采用有限元法數(shù)值模擬是一種優(yōu)化單晶爐設(shè)計(jì)的重要工具。本文對(duì)采用矮加熱器的復(fù)合式熱場(chǎng)進(jìn)行了數(shù)值模擬,得到了流場(chǎng)分布圖和熱場(chǎng)溫度分布圖。對(duì)新型熱屏和矮加熱器對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響進(jìn)行了系統(tǒng)的理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)工作。結(jié)果表明,新型熱屏不僅起到導(dǎo)流筒的作用,改進(jìn)了流場(chǎng),使單晶氧含量下降;而且熱屏解決了大直徑單晶生長(zhǎng)中結(jié)晶潛熱難以散發(fā)的問(wèn)題,大大提高了拉晶速率,降低了生產(chǎn)成本。