真空度低解決方法：清潔真空室內的送鋁、蒸鍍裝置、冷卻系統(tǒng)、放卷、卷取裝置及導輥；檢查抽真空系統(tǒng)；降低環(huán)境濕度。 ②薄膜釋放氣體 解決方法：薄膜預干燥；延長抽真空時間。 ③噴鋁過多解決方法：提高車速；降低蒸發(fā)舟電流；降低送鋁速度。 ④蒸發(fā)舟內有雜質 解決方法：清潔蒸發(fā)舟及熱屏蔽板。 ⑤蒸發(fā)舟老化 解決方法：更換蒸發(fā)舟。 補充： 以上不知道有沒有幫助。鍍鋁發(fā)霧的問題我就不知道了，不好意思。 追問： 不好意思，我沒有說你才疏學淺的意思- -#，我意思說就像發(fā)黃的原因有：1, 真空度過低;延長抽真空時間 2, 鍍膜時有其他放氣源影響鍍膜效果,比如夾具或膠紙 3，鍍膜時間過長；噴鋁過多 4，鍍膜電流過高

3. 開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。
4. 開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達250以后，關予抽，開前機和
高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以后才能開電子槍電源。 1. 總電源。
2. 同時開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時開關，延時、電源及保護燈亮，三分鐘后延時及保護燈滅，若后門未關好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。
3. 開高壓，高壓會達到10KV以上，調節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉電流在1~1.7之間擺動。 1. 關高真空表頭、關分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時，依次關高閥、前級、機械泵，這期間約需40分鐘。

1．在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，先開水管，工作中應隨時注意水壓。
2．在離子轟擊和蒸發(fā)時，應特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。
3．在用電子槍鍍膜時，應在鐘罩外圍上鋁板。觀察窗的玻璃好用鉛玻璃，觀察時應戴上鉛玻璃眼鏡，以防X射線侵害人體。
4．鍍制多層介質膜的鍍膜間，應安裝通風吸塵裝置，及時排除有害粉塵。
5．易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。
6．酸洗夾具應在通風裝置內進行，并要戴橡皮手套。
7．把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應輕拿輕放，不得碰撞及濺出。平時酸洗槽盆應加蓋。
8．工作完畢應斷電、斷水。

真空蒸鍍金屬薄膜怎么樣？這個問題不能一概而論，要根據(jù)您的具體情況進行分析。這里簡單介紹一下真空蒸鍍金屬薄膜的特點，供您參考。鍍鋁薄膜與鋁箔復合材料相比具有以下特點：（1）大大減少了用鋁量，節(jié)省了能源和材料，降低了成本，復合用鋁箔厚度多為7～9pm，而鍍鋁薄膜的鋁層厚度約為0．05n左右，其耗鋁量約為鋁箔的1/140～1/180，且生產速度可高達450m/min。（2）具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性，很少出現(xiàn)針孔和裂口，無揉曲龜裂現(xiàn)象，因此對氣體、水蒸汽、氣味、光線等的阻隔性提高。（3）具有的金屬光澤，光反射率達到97%；且可以通過涂料

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

利摘要顯示，本申請關于一種真空鍍膜自動加料裝置，涉及真空鍍膜領域。該真空鍍膜自動加料裝置包括支架，支架上安裝有滑動機構，滑動機構上安裝有驅動機構以及加料機構，驅動機構的動力輸出端與加料機構傳動連接；加料機構的上方還安裝有儲料罐，儲料罐將粉料輸送至加料機構內，加料機構與外部管式爐的進料口接駁；其中，儲料罐上還安裝有攪拌機構，攪拌機構將儲料罐內的粉料均勻的輸送至加料機構內。實現(xiàn)了在CVD過程中，粉末狀態(tài)的蒸發(fā)材料（如派瑞林）少量、連續(xù)進入管式爐以進行后續(xù)的加熱、升華、裂解工藝，既滿足了蒸發(fā)材料的用量，又達到了實時動態(tài)調整進料量的目的，提升了鍍膜效果，并實現(xiàn)了一種以上的蒸發(fā)材料復合鍍膜的工藝需求。