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單晶硅生長爐的特點(diǎn)HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。全自動控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，維護(hù)方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，保控溫精度。質(zhì)量流量計控制流量。真空計結(jié)合電動蝶閥實時控制爐內(nèi)真空度。

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為了方便副爐室3移動到取晶位，并方便副爐室3的拆解、清理，連續(xù)拉晶單晶爐還包括副爐室升降驅(qū)動裝置12和副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置13，所述所述副爐室3通過副爐室旋臂14連接在副爐室升降驅(qū)動裝置12上，以便通過副爐室升降驅(qū)動裝置12驅(qū)動副爐室旋臂14升降，并通過副爐室旋臂14帶動副爐室3升降，所述副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置13連接在副爐室升降驅(qū)動裝置12和副爐室旋臂14之間，以便使得副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置13隨副爐室旋臂14一起升降，并通過副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置13驅(qū)動副爐室旋臂14旋轉(zhuǎn)，副爐室旋臂14又帶動副爐室3旋轉(zhuǎn)。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理簡介，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm 左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。