現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

DRAM特點如下：
●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8]
●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 [8]
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8]
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡是一塊被設計用來允許計算機在計算機網(wǎng)絡上進行通訊的計算機硬件。由于其擁有MAC地址，因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶可以通過電纜或無線相互連接。