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LGA燒結銀四川燒結銀

更新時間:2025-10-08 [舉報]
IGBT應用和有壓燒結銀工藝流程介紹

AS9330系列燒結銀主要應用于:TO、SOT、SOD、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP(QFJ)、QFN、LGA、 HBLED 封
裝和其他需要高導熱、導電和粘接的場合。

推薦燒結條件:
1)芯片尺寸<5 x 5 mm:20 分鐘從 25°C 升至 130°C,保持 30 至 60 分鐘;升溫至 200°C 15 分鐘,保持
60 分鐘;(在空氣或氮氣爐中加熱,合適材質:金、銀界面和裸銅界面)

AS9330系列燒結銀的以上數(shù)據(jù)信息是基于我們在溫度 25℃,濕度 70%的環(huán)境下對產(chǎn)品研究測試所得到的典型數(shù)據(jù),僅供客
戶使用時參考,并不能完全于某個特定環(huán)境進能達到的全部數(shù)據(jù)。

AS9330燒結銀包裝及規(guī)格
1 點膠針筒裝:10G、20G。
2 標簽上標有:廠名、產(chǎn)品名稱、型號、生產(chǎn)批號、重量。

燒結銀打開蓋子時,一定要避免容器外有水滴浸入膠中,因為容器內壁有漏氣結霜進入水氣,混入水氣或水滴將影響其特性;

善仁燒結銀操作指導:
1)、導電銀膏是以糊狀物質存在,在開蓋以后,建議盡量縮短在空氣中暴露的時間;
2)、晶片和基座之保持足夠的浸潤能力,才可以有足夠的粘著力。

標簽:四川半導體燒結銀SOT燒結銀
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