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寬禁帶燒結(jié)銀膜熱壓燒結(jié)銀膜高導(dǎo)熱燒結(jié)銀膜

更新時間:2025-09-25 [舉報]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

基于燒結(jié)銀材料的低溫燒結(jié)技術(shù)目前已經(jīng)逐漸開始應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體功率器件中,常規(guī)的方法是將燒結(jié)銀焊膏涂覆在基板上,置于鼓風干燥箱中進行加熱,使得有機溶劑大量揮發(fā),

4 良好的導(dǎo)熱性能:導(dǎo)熱率可達287瓦;
5 提高生產(chǎn)效率:省略了預(yù)烘和預(yù)壓的過程,可以直接進行本壓燒結(jié)銀膜;

公司是集研發(fā),生產(chǎn),銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司研發(fā)團隊由美籍華人科學家領(lǐng)導(dǎo),多名海外博士、博士后組成,研發(fā)團隊均為碩士及博士以上學歷,研發(fā)人員占公司人員比例超過40%,公司是一家技術(shù)驅(qū)動型的高新技術(shù)企業(yè),目前公司正在申請院士工作站和博士后工作站。公司注重產(chǎn)品研發(fā),產(chǎn)品品質(zhì)和生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的持續(xù)提升和優(yōu)化,重視對人才的引進和培養(yǎng)。

標簽:有壓燒結(jié)銀膜熱壓納米銀膜
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