【納米壓痕測(cè)試】
服務(wù)背景：隨著MEMS器件和納米涂層廣泛應(yīng)用，傳統(tǒng)力學(xué)測(cè)試無(wú)法滿(mǎn)足微區(qū)性能評(píng)估需求。
檢測(cè)重要性：直接獲取薄膜/涂層的硬度、彈性模量，預(yù)防芯片封裝分層失效。
檢測(cè)周期：3-5個(gè)工作日（含制樣）。

廣電計(jì)量能力：
1、配備的納米壓痕儀，載荷分辨率1nN；
2、完成某GPU散熱涂層測(cè)試（硬度8.2±0.3GPa，模量120±5GPa）；

廣電計(jì)量是一家全國(guó)布局、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，技術(shù)服務(wù)保障網(wǎng)絡(luò)覆蓋全國(guó)，化學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室分布在廣州、無(wú)錫、上海、天津、重慶等五地，方便客戶(hù)就近檢測(cè)服務(wù)。

【TOF-SIMS原位電化學(xué)表征測(cè)試】
TOF-SIMS技術(shù)是什么？TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）技術(shù)是一種高分辨率表面成分分析的方法。它通過(guò)將樣本表面轟擊成離子，并利用飛行時(shí)間質(zhì)譜儀測(cè)量這些離子的時(shí)間和質(zhì)量，從而確定樣本的成分及其分布情況。TOF-SIMS技術(shù)不僅可以提供元素分析信息，還可以提供離子組成分析、分子成像等詳細(xì)數(shù)據(jù)。

服務(wù)背景：鋰電池SEI膜形成機(jī)制研究需表面化學(xué)動(dòng)態(tài)分析。
檢測(cè)重要性：實(shí)時(shí)捕捉電極-電解質(zhì)界面副反應(yīng)產(chǎn)物。
檢測(cè)周期：5-7個(gè)工作日.
廣電計(jì)量通過(guò)深入研究負(fù)極表面SEI膜的成分和結(jié)構(gòu)，可以為電池材料的改進(jìn)提供重要參考。此外，TOF-SIMS技術(shù)還可以用于研究電池內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)機(jī)制，優(yōu)化電池的工作溫度、電解液成分等條件，提高電池的性能和壽命。隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，TOF-SIMS有望為電池領(lǐng)域的科學(xué)家們提供更多關(guān)鍵的表面分析信息，推動(dòng)電池技術(shù)的不斷創(chuàng)新。



【TPD化學(xué)吸附測(cè)試】
背景：1970年代程序升溫脫附技術(shù)（TPD）興起，成為催化劑表面特性研究的利器。
重要性：量化活性位點(diǎn)密度與吸附強(qiáng)度，指導(dǎo)加氫催化劑設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品類(lèi)型：鉑碳催化劑、儲(chǔ)氫合金、汽車(chē)尾氣凈化劑。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：ISO 20179（程序升溫還原）。

廣電計(jì)量能力：
1、的化學(xué)吸附儀；
2、H?/CO/O?脈沖滴定定量金屬分散度；
3、完成鈀催化劑活性位點(diǎn)密度檢測(cè)（12.5 μmol/g）。

【XRD檢測(cè)】
背景：1912年勞厄發(fā)現(xiàn)晶體X射線(xiàn)衍射現(xiàn)象，1953年沃森-克里克據(jù)此解析DNA結(jié)構(gòu)。
重要性：材料相組成決定力學(xué)性能與化學(xué)穩(wěn)定性，是質(zhì)量控制必檢項(xiàng)目。
產(chǎn)品類(lèi)型：合金相分析、藥品晶型、礦物組成。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：JCPDS PDF卡片庫(kù)、GB/T 23413（納米材料）。


【原位紅外測(cè)試】
背景：1980年代原位紅外反應(yīng)池商業(yè)化，實(shí)現(xiàn)催化反應(yīng)動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)從“離線(xiàn)”到“在線(xiàn)”跨越。
重要性：實(shí)時(shí)捕捉反應(yīng)中間體，揭示CO?加氫、SCR脫硝等反應(yīng)機(jī)理。
產(chǎn)品類(lèi)型：汽車(chē)尾氣催化劑、光催化材料。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：定制化反應(yīng)條件（溫度/壓力/氣氛）。

廣電計(jì)量可以提供的原位紅外測(cè)試-催化反應(yīng)過(guò)程表面物種動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)服務(wù)。

【熱膨脹檢測(cè)】
服務(wù)背景：航天復(fù)合材料需嚴(yán)格匹配熱膨脹系數(shù)(CTE)，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致結(jié)構(gòu)開(kāi)裂。
檢測(cè)重要性：CTE是光學(xué)器件、半導(dǎo)體封裝選材的核心參數(shù)。
檢測(cè)周期：5-7個(gè)工作日。
廣電計(jì)量能力：
1、配備溫膨脹儀
2、精度±0.05μm，檢測(cè)氮化硅陶瓷CTE=2.6×10??/K（25-800℃）；
3、符合ASTM E831標(biāo)準(zhǔn)。