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深圳GSI鉭鈮礦化驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)"以"行為公正、方法科學(xué)、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶至上"的服務(wù)宗旨，愿以準(zhǔn)確的檢驗(yàn)、公正的、快捷的代理、滿意的咨詢竭誠(chéng)為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內(nèi)容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶信賴的技術(shù)合作伙伴。

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化

氮化鉭貯存
1、通常對(duì)水是不危害的，若無許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

又稱“氧化鉭”。化學(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結(jié)晶形白色粉末或無色難溶性粉末。相對(duì)密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩(wěn)定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩(wěn)定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。