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從除塵區(qū)域經(jīng)上盤12 個圓孔進入排氣區(qū)域(排氣筒) 的棄塵氣流終由排氣口排出除塵器。上面主要論述了這種混合式除塵器的除塵機理和過程。值得提出的是,出于某些因素的考慮例如體積小、結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟性等等,該除塵器略去了排塵區(qū)域。所以,應該經(jīng)常性拆卸進行清灰工作。下面給出這種除塵器的主要技術(shù)參數(shù):圓柱容器高度H = 900mm; 內(nèi)徑= á 270mm; 進氣口軸線偏離圓柱容器線e= 85mm; 進氣口與排氣口通徑均為á 89mm。內(nèi)、外層金屬網(wǎng)均采用50 目的不銹鋼絲網(wǎng)。順便提一下,在很多情況下,用戶拆去全部金屬桿和金屬網(wǎng),僅以離心力作為主要除塵機理便滿足了單晶爐真空系統(tǒng)的除塵要求。
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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會的基石。根據(jù)半導體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的報告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實需求。同時,開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場對改善晶體質(zhì)量的作用,對于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,排氣筒與排氣口相通。上盤的幾個圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤12 個圓孔排出去之前,實際的氣流運動是很復雜的。除切向和軸向運動外還有徑向運動。這樣含塵氣流會反復經(jīng)過金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯列,很明顯能夠增加氣流穿過金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細論過除塵機理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴散在這時將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤在內(nèi))。