由于現(xiàn)有封裝技術(shù)的限制，特別是芯片與基板的互連技術(shù)，例如銀漿、聚合物材料，軟釬焊等互連技術(shù)由于焊料合金的低熔點(diǎn)、環(huán)氧樹(shù)脂的低溫分解等原因，使其不能在高溫環(huán)境下可靠工作，導(dǎo)致限制電力電子系統(tǒng)性能和可靠性的瓶頸從半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到了封裝技術(shù)上來(lái)。

近年來(lái)以善仁新材開(kāi)發(fā)的納米燒結(jié)銀技術(shù)為代表的低溫連接技術(shù)是目前功率器件朝耐高溫、高可靠性應(yīng)用發(fā)展的主要趨勢(shì)，其基本原理是利用納米尺度下金屬顆粒的高表面能、低熔點(diǎn)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板的低溫低壓燒結(jié)互連。

燒結(jié)納米銀導(dǎo)熱率及孔隙關(guān)系
孔隙對(duì)于熱傳導(dǎo)性能的影響會(huì)很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結(jié)銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會(huì)使得周?chē)臒崃髅芏茸兊?，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導(dǎo)率依次減少。空隙率越低，導(dǎo)熱系數(shù)越高，空隙率越高，導(dǎo)熱系數(shù)越低。