新能源車的高速發(fā)展，帶動(dòng)不斷增大的激光器和驅(qū)動(dòng)芯片功率，對(duì)散熱提出了更高的挑戰(zhàn)。半燒結(jié)銀AS9330是連接半導(dǎo)體晶體管和元器件的關(guān)鍵材料，起到導(dǎo)電和導(dǎo)熱的作用，影響元器件電路導(dǎo)通、功能實(shí)現(xiàn)及穩(wěn)定性。

AS9330半燒結(jié)銀的 導(dǎo)熱系數(shù)范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。

將芯片放到涂有半燒結(jié)銀AS9330的界面上時(shí)，建議加一點(diǎn)壓力到上界面壓一下； 燒結(jié)時(shí)需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等