鍍金回收含金硅質(zhì)電子廢件處：
電子工業(yè)產(chǎn)品和設(shè)備中廢棄的含金硅質(zhì)元件，由于硅的存在而妨礙回收其中的金。為了采用濕法工藝回收金，可先經(jīng)硅腐蝕劑處理，使燒結(jié)在硅片上的金脫落分離，再收集起來(lái)送提純。
硅腐蝕劑分酸性的和堿性的。酸性硅腐蝕劑按硝酸：氫氟酸為1∶6～9配制，再稀釋至2～3倍，于室溫下浸泡除硅。堿性硅腐蝕劑使用10%～30%NaOH液，加熱至80～100℃浸煮元件除硅。

半導(dǎo)體與電子器件廠(chǎng)鍍金廢料：各類(lèi)電子產(chǎn)品庫(kù)存，閑置二手生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備，IC芯片，射頻器件，微波器件，高頻器件，F(xiàn)LASH，DDR芯片，晶圓片，廢硅片，鍍金引線(xiàn)，封裝基座，電子元器件的引腳，pin針，下腳料，鍍金邊角料，鍍銀下腳料，廢元器件，電子針，引線(xiàn)框架，封裝管殼，陶瓷元器件，陶瓷鍍金邊角料，陶瓷電子器件，晶振，鐘振，各種頻率元器件，高頻晶體管等，各類(lèi)報(bào)廢的半導(dǎo)體器件，芯片引腳，芯片管腳，邊角料，引線(xiàn)，封裝外殼，半導(dǎo)體封裝邊角料，半導(dǎo)體支架，綁定廢金絲金線(xiàn)，貼片，鍵合金絲，共晶焊料，廢銀膠銀漿，導(dǎo)電漿料，藍(lán)膜邊角料，硅晶片，晶圓硅片，背金晶圓，背銀晶圓，單晶硅，多晶硅。LTCC器件，HTCC器件，MLCC器件，壓電陶瓷器件，陶瓷熱沉，鍍金陶瓷基片，氮化鋁陶瓷管殼，陶瓷封裝外殼，微波陶瓷線(xiàn)路板，submont，玻璃金屬封接，半導(dǎo)體封裝管座，射頻絕緣子，鍍金陶瓷，氮化鋁陶瓷等。

氰化鍍金液在報(bào)廢或需要處理時(shí)，由于其含有氰化物這一有毒有害物質(zhì)，采取適當(dāng)?shù)奶幚矸椒ㄒ源_保環(huán)境安全和人體健康。以下是一些建議的處理方法：

1. 堿法處理：可以向含有氰化物的電鍍液中加入一定量的強(qiáng)堿性物質(zhì)（如氫氧化鈉、氫氧化鈣等）。這會(huì)產(chǎn)生緩慢沉淀，然后可以通過(guò)過(guò)濾機(jī)進(jìn)行過(guò)濾，得到固體廢物。此時(shí)，廢水中已經(jīng)去除了氰化物，可以將處理后的液體排放到污水處理廠(chǎng)進(jìn)行進(jìn)一步處理。
2. 酸法處理：可以向含有氰化物的電鍍液中加入過(guò)量的硫酸、鹽酸等酸性物質(zhì)。這會(huì)在一定條件下產(chǎn)生氣體并生成鹽酸、硫酸銅等物質(zhì)，終形成固體廢物和液體廢物。固體廢物可以直接送往危險(xiǎn)垃圾處理廠(chǎng)進(jìn)行處理，而液體廢物則需要進(jìn)一步處理后才能排放。
3. 高溫?zé)峤馓幚恚簩?duì)于含氰量較高的廢液，可以采用高溫?zé)峤獾姆椒ㄟM(jìn)行處理。，將含有氰化物的電鍍液進(jìn)行蒸發(fā)濃縮，然后將濃縮后的廢液置于高溫?zé)峤鉅t中進(jìn)行高溫?zé)峤狻＿@會(huì)使其分解產(chǎn)生氰化氫氣體和炭酸氣體等。通過(guò)一系列的處理過(guò)程，將其中的有害物質(zhì)去除后，再將經(jīng)過(guò)處理的廢水排放到污水處理廠(chǎng)中進(jìn)行處理。

如氧化法、電解法、膜分離法等。在處理過(guò)程中，應(yīng)確保操作人員的安全，避免與有毒有害物質(zhì)直接接觸。同時(shí)，應(yīng)遵循當(dāng)?shù)氐沫h(huán)境保護(hù)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，確保處理過(guò)程符合相關(guān)要求。

需要注意的是，處理鍍金邊角料插件時(shí)應(yīng)遵守相關(guān)的環(huán)保法規(guī)和安全規(guī)定，以確保不會(huì)對(duì)環(huán)境和人體健康造成危害。同時(shí)，回收和處理這些邊角料也需要一定的成本投入，因此在實(shí)際操作中需要綜合考慮經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境效益。

鍍金回收是一種針對(duì)含有鍍金層的廢料的回收過(guò)程。這些廢料主要來(lái)源于電子元器件廠(chǎng)、光電廠(chǎng)家、激光廠(chǎng)家等，包括電路板、連接器、接觸點(diǎn)等部件，如電腦主板CPU上的插針、記憶棒上的金手指等。這些廢料中，鍍金層是薄薄的一層黃金，具有較高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值，但由于剝掉鍍金層相當(dāng)困難，因此需要進(jìn)行的回收處理。