由于現(xiàn)有封裝技術的限制，特別是芯片與基板的互連技術，例如銀漿、聚合物材料，軟釬焊等互連技術由于焊料合金的低熔點、環(huán)氧樹脂的低溫分解等原因，使其不能在高溫環(huán)境下可靠工作，導致限制電力電子系統(tǒng)性能和可靠性的瓶頸從半導體芯片轉移到了封裝技術上來。

善仁新材的納米燒結銀互連層的制作工藝
其工藝主要包括：
① 在覆銅（Cu）基板上涂覆或者絲網(wǎng)印刷納米燒結銀，將芯片放置在納米銀膏上；

納米燒結銀互連層的工藝改進
善仁新材研究院比較了加壓微米燒結銀和無外加壓力納米燒結銀，通過實驗發(fā)現(xiàn)納米尺度下的銀具有比微米尺度下更高的燒結驅動力，避免了壓力燒結條件下對芯片和基板中造成缺陷和裂紋等現(xiàn)象，并發(fā)現(xiàn)了燒結溫度和燒結壓強的增加會降低燒結銀的孔隙大小，AS9375無壓燒結銀的納米銀互連層的結合強度可達45MPa。

其一為改變芯片尺寸，好控制在5×5 mm2以內(nèi)；其二是在燒結銀中添加“特殊物質(zhì)”。善仁新材公司通過控制燒結溫度、溫升速度、燒結時間研究出一種燒結方法，在針對10×10mm2的大面積連接時，既降低了燒結溫度，又將燒結后的剪切強度提升至50MPa左右。

燒結納米銀導熱率及孔隙關系
孔隙對于熱傳導性能的影響會很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會使得周圍的熱流密度變低，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導率依次減少?？障堵试降?，導熱系數(shù)越高，空隙率越高，導熱系數(shù)越低。

隨著全球無鉛化的推進，善仁新材的納米燒結銀時替代焊錫膏作為連接材料的候選材料之一，特別是在混動和電動汽車，高鐵，航空航天，太陽能，深井石油開采等需要在200度惡劣環(huán)境下的各種工作應用，必將成為主流的互連材料之一。