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低溫納米燒結(jié)銀kyocera燒結(jié)銀替代北京燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-06 [舉報(bào)]
射頻器件無壓燒結(jié)銀AS9376

2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中,為碳化硅技術(shù)在電動汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后,多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn),如800V高壓快充,以及新能源汽車市場的持續(xù)擴(kuò)張,促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

從2017年起,善仁新材在燒結(jié)銀材料的研發(fā)與生產(chǎn)方面走在行業(yè),提供多款產(chǎn)品以適應(yīng)各種應(yīng)用場景。從AS9000系列銀墨水,到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結(jié)銀膏,善仁新材一直燒結(jié)銀的技術(shù)應(yīng)用,以滿足市場的多樣化需求。

AS9378燒結(jié)銀解決了以下三大問題:
1:大面積燒結(jié)會大幅增加客戶對燒結(jié)銀膏的用量,而燒結(jié)銀成本相對較高,作為中國燒結(jié)銀的者,善仁新材的解決了這一困擾客戶的難題。

AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好:為了適應(yīng)大面積燒結(jié),燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果,同時(shí)需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

SHAREX善仁新材燒結(jié)銀研究院認(rèn)為:隨著越來越多的碳化硅模塊制造商、封裝廠商乃至汽車制造商開始采用大面積燒結(jié)銀工藝,相信未來大面積燒結(jié)技術(shù)在車型中的采用率會越來越高。

功率模塊封裝技術(shù)的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品,特別是在電動車的應(yīng)用中。這導(dǎo)致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求,例如銀燒結(jié)芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結(jié)構(gòu)化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。

標(biāo)簽:北京納米銀導(dǎo)電膠無壓燒結(jié)銀
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