省去中間時(shí)間和環(huán)節(jié)，提高交易效率。第三種是轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)保賣(mài)服務(wù)。針對(duì)賣(mài)家，轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)為其提供競(jìng)拍賣(mài)場(chǎng)，有利于更快速更出手物品。此外除了提供質(zhì)檢和相應(yīng)服務(wù)。轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)還推出自營(yíng)專(zhuān)區(qū)。提供B2C商場(chǎng)式的服務(wù)，用戶(hù)可以在自營(yíng)專(zhuān)區(qū)選購(gòu)經(jīng)過(guò)質(zhì)檢且有平臺(tái)保障的低質(zhì)“準(zhǔn)新機(jī)”，在這類(lèi)模式中，平臺(tái)以中間商的身份作為二手交易的信任背書(shū)和橋梁。等于是平臺(tái)承擔(dān)了風(fēng)險(xiǎn)。解決了交易雙方的信任問(wèn)題，對(duì)平臺(tái)來(lái)說(shuō)，主要有兩大問(wèn)題：，(1)平臺(tái)需要做重服務(wù)。轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)要解決的并不單純是C2C、B2C的問(wèn)題了，而是這兩種問(wèn)題的集合體。在轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)保賣(mài)服務(wù)中，轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)會(huì)為入場(chǎng)用戶(hù)先墊付一部分預(yù)付款。

DRAM特點(diǎn)如下：
●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?[8]
●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8]
●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8]
●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來(lái)允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址，因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶(hù)可以通過(guò)電纜或無(wú)線(xiàn)相互連接。