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深圳GSI鉭鈮礦檢測技術(shù)有限公司擁有大型的實(shí)驗(yàn)室，配備精良的測試儀器，與華南地區(qū)各實(shí)驗(yàn)室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測認(rèn)證通道；幫助客戶減少開發(fā)風(fēng)險、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時獲得各國市場的準(zhǔn)入證。
一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達(dá)４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構(gòu)變化的原因
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化
氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對密度為13.4，熔點(diǎn)為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
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