青島回收內(nèi)存卡 收購(gòu)英特爾IC
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XCVU11P-L2FBVB2104E,BLM21AG331SN1#,ERJPA2J272X,ERJP6WF3323V,CC0603ZRY5V9BB153,EXBV8V683JV,ERJ12SF1240U,SYBD-28-82HP+,STM32F078CBU6,ERG5SG111P,XCKU060-1FFGA1156I,UCC2895QDWRQ1,CS1206KKX7RBBB102,UPD78F0452GB-GAH-AX,LTC1196-2BCS8#PBF,SKKT57B,R5F21386MNFP,F(xiàn)ODM217BR2V,HV2733FG-G,GJM0224C1ER70BB01#,STM8AF62A6UDX,GRM1555C1E9R7BA01#,ERJUP8D3000V,R7FA6M2AD3CFP,MT42L64M64D2MP-25WTES:BDONOTUSE,GMJ316BB7474KLHT,UPD78F1176GF-GAT-AX,ERJU08J391V,SM3408NSQG,TS5USB00IYFPR,SPC5675KF0VMS2,ERA3ARB1652V,CL05X105KQ5NFNC,ESD8451MUT5G,STM32G431V6,S9S08LG32J0CLK,GRM1552C2A7R5BA01#,F(xiàn)BNB16A256G6KDBAFJ4-5AR,MC78M05ACDTRKG,LTM4636EY-1#PBF,AR0134CSSM25SUEA0-DRBR,CL31A475MOHNNNE,AD5590BBCZ,CD54H015F3A,ERJUP3D1000V,BZX584C9V1,MSP430F2131TRGET,EEUFS1A202B,XC5VFX100T-2FFG1136C,MLG1005S27NJT000

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測(cè)試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對(duì)Wafer劃片槽(ScribeLine)測(cè)試鍵(TestKey)的測(cè)試,通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù),測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上,由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容,測(cè)完某條TestKey后,ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey,直到整片Wafer測(cè)試完成。