回收芯片可以有效地減少?gòu)U棄電子產(chǎn)品對(duì)環(huán)境的影響，同時(shí)也可以回收有價(jià)值的金屬和材料，為環(huán)保和資源回收做出貢獻(xiàn)?；厥招酒枰脑O(shè)備和技術(shù)，同時(shí)也需要合法的回收渠道和處理方式，以確?；厥者^(guò)程的安全和合法性。

回收芯片不僅可以減少資源消耗，還可以減少對(duì)環(huán)境的污染和能源的浪費(fèi)。回收芯片可以避免廢棄芯片對(duì)環(huán)境造成的污染，同時(shí)也可以減少新芯片的生產(chǎn)和能源消耗。

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱
為發(fā)射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當(dāng)b點(diǎn)電位e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流
子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過(guò)發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱
為發(fā)射極電流了。
由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合
掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得