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常州回收TDK電容回收國產(chǎn)芯片

更新時間:2025-09-26 編號:be1mq9d362e5dd
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VSB---二次擊穿電壓



而對于每個不同類型不同材質(zhì)的電容,可根據(jù)電解電容器正向充電時漏電電流小、反向充電時漏電電流大的特點,根據(jù)以上特點,在檢查電阻時可有所側(cè)重,找出損壞的電阻。通過施加反向電壓, 使-PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。

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