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利用磁控反應濺射技術制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術研究了薄膜的微觀結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
生產晶書鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學玻璃用,化工中可作催化劑。
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