可根據(jù)用戶需要制作。
鋯盤管換熱器:
規(guī)格；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，功率有1.5KW-50KW,
形態(tài)；根據(jù)加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過熱保護(hù)裝置。
用途；適用于鈦無法勝任的酸、堿介質(zhì)中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產(chǎn)中，鋯的應(yīng)用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經(jīng)久耐用足以彌補成本費。

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。

我們曾在多種農(nóng)藥設(shè)備上進(jìn)行過工業(yè)鋯的應(yīng)用研究，如在農(nóng)藥反應(yīng)罐中進(jìn)行了鋯的實際應(yīng)用與掛片試驗。農(nóng)藥水解反應(yīng)的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個大氣壓（1520kPa)，一個流程時間為7h，在此條件下設(shè)備腐蝕嚴(yán)重，1mm厚普通鋼板，反應(yīng)后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個搪鉛反應(yīng)罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗條件為：生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺；生產(chǎn)200-250℃；壓力14-15個大氣（1419- 1520kPa)。結(jié)果表明，隨時間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學(xué)性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。