在多晶硅生產(chǎn)的每個單元中，硅粉的來源主要有兩種:(1)在冷加氫系統(tǒng)運行過程中，大量未參與反應(yīng)的細(xì)硅粉被冷凝單元冷凝后進入加氫冷凝液；(2)在還原單元中，部分反應(yīng)生成的硅原子無法沉積，終無定形硅粉隨還原尾氣進入冷凝單元，導(dǎo)致無定形硅粉夾帶在還原尾氣的冷凝液中。加氫冷凝液和還原尾氣冷凝液將進入粗蒸餾塔進行組分分離，夾帶的硅粉將以渣漿形式沉淀。
目前，在多晶硅生產(chǎn)中，許多廠家沒有去除還原尾氣和冷凝氯硅烷中夾帶的細(xì)硅粉，導(dǎo)致實際生產(chǎn)中出現(xiàn)一系列嚴(yán)重問題。富集的細(xì)硅粉不僅會堵塞各生產(chǎn)單元，造成工藝操作受阻、停工、產(chǎn)能下降等不良影響，而且進入連接管道時會造成嚴(yán)重污染。廠家也嘗試使用傳統(tǒng)過濾技術(shù)去除硅粉，如袋式過濾器、陶瓷過濾器等。但在實際應(yīng)用中，發(fā)現(xiàn)袋式過濾器和陶瓷過濾器存在使用壽命短、耐溫性差、機械性能差(易破損)等缺點。此外，傳統(tǒng)過濾方法得到的硅渣含有鹽酸和游離氯離子，濾渣仍需水洗。但水洗過程會產(chǎn)生二氧化硅、硅酸等難熔化合物，需要進一步二次、三次過濾，造成水資源的浪費，增加環(huán)保壓力，增加生產(chǎn)成本。

高溫除塵技術(shù)是能源利用和環(huán)境保護領(lǐng)域達到能源利用及低污染排放的一項核心技術(shù)。高溫氣體干法除塵技術(shù)要求直接在高溫條件下實現(xiàn)氣體的干法除塵和凈化，以利用氣體的物理顯熱，提高能源利用率，在實現(xiàn)氣體潔凈排放的同時節(jié)約水資源，并避免濕法除塵所帶來的二次水污染。
干法除塵技術(shù)概況：根據(jù)除塵機理，高溫氣體干法除塵技術(shù)大致可分為慣性除塵、靜電除塵及過濾式除塵。慣性除塵器耐高溫，但除塵效率低；靜電除塵器雖適用于高溫氣體除塵，但電極壽命短，材料穩(wěn)定性差，除塵效率受粉塵的比電阻影響大；普通纖維袋式過濾除塵器盡管除塵，但耐高溫性較差。

多晶硅是元素硅的一種形式。當(dāng)熔融元素硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格的形式排列成許多晶核。如果這些晶核生長成晶面取向不同的晶粒，這些晶粒就會結(jié)合結(jié)晶成多晶硅。
利用價值：從目前國際太陽能電池的發(fā)展過程可以看出，其發(fā)展趨勢是單晶硅、多晶硅、帶狀硅和薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜和染料薄膜）。
中國是世界上多晶硅的主要生產(chǎn)國，占全球多晶硅總產(chǎn)量的60%以上。多晶硅企業(yè)90%以上的生產(chǎn)工藝是改良西門子法。該工藝是將工業(yè)級硅粉在流化床反應(yīng)器中氯化，合成二氯硅烷。合成的三氯氫硅在多級分餾器中精制提純，然后多晶硅在化學(xué)蒸發(fā)反應(yīng)器中還原沉積。
該工藝實現(xiàn)了反應(yīng)物料H）和Si-的完全閉環(huán)生產(chǎn)。但合成爐出口氣體、還原爐高溫尾氣等工藝環(huán)節(jié)中一定量的未反應(yīng)細(xì)硅粉（1~10um）和雜質(zhì)固體顆粒過濾；否則，雜質(zhì)顆粒在蒸餾塔和管道中的沉積和堵塞將影響生產(chǎn)的連續(xù)性和安全性，因此有必要對上述工藝環(huán)節(jié)中的氣體進行過濾和凈化。
在某多晶硅企業(yè)的生產(chǎn)線上，安裝了帶微孔金屬膜的金屬過濾器進行應(yīng)用研究。在此過程中，在金屬過濾器的合成氣管道和清潔工藝氣體管道上安裝了粉塵濃度計，以檢測過濾前后的粉塵濃度。在合成氣管道上安裝氣體流量計，以檢測金屬過濾器的氣體處理能力；差壓計PDI安裝在金屬過濾器的上游和下游之間，以檢測過濾器的壓差。