北京節(jié)日燈飾照明北京節(jié)慶燈飾照明
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照明亮化廣泛應用于以下場景:
?城市亮化?:包括建筑立面、輪廓、屋頂?shù)炔课坏恼彰髟O計,建筑的特點和風格。
?樓體亮化?:對商務樓、住宅小區(qū)、銀行醫(yī)院等公共建筑進行燈光裝飾,提升建筑的藝術感和美感。
?園林亮化?:通過燈光技術表現(xiàn)園林景觀的夜間空間藝術,增添園林的美感和觀賞性。
?道路照明?:確保夜間行車安全,提高道路使用效率,采用節(jié)能的LED燈具,營造舒適的夜間行車環(huán)境。
照明亮化的技術要求和未來發(fā)展趨勢
照明亮化工程需要注重節(jié)能環(huán)保,采用節(jié)能的照明設備和智能控制系統(tǒng),減少能源消耗和光污染,實現(xiàn)綠色照明。隨著技術的發(fā)展,LED燈具因其節(jié)能、命、易維護等特點,已成為亮化工程中的主流選擇。

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-V特性,即正向?qū)?,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲后,再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復合,每次釋放的能量不大,不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大,光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的,所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料帶隙Eg有關,即 λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管,但其中藍光二極管成本、價格很高,使用不普遍。

(1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值,LED發(fā)熱、損壞。
(2)大正向直流電流IFm:允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。
(3)大反向電壓VRm:所允許加的大反向電壓。超過此值,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
(4)工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或此溫度范圍,發(fā)光二極管將不能正常工作,效率大大降低。
不改變材質(zhì)的前提下,在LED的極限范圍內(nèi),提高亮度的手段就是提高電流,隨著電流升高,LED發(fā)熱量會劇增。使用過LED光源便攜投影機的,或微投的朋友,一定都深有體會,LED光源的投影機,非常熱,而且普遍會有明顯的噪音。這些產(chǎn)品,機身小是一方面,關鍵還是其自身發(fā)熱量較大所致。
隨著功率的增加,LED的散熱問題顯得越來越,大量實際應用表明,LED不能加大輸入功率的基本原因,是由于LED在工作過程中會放出大量的熱,使管芯結(jié)溫迅速上升,熱阻變大。輸入功率越高,發(fā)熱效應越大。溫度的升高將導致器件性能變化與衰減,非輻射復合增加,器件的漏電流增加,半導體材料缺陷增長,金屬電極電遷移,封裝用環(huán)氧樹脂黃化等等,嚴重影響LED的光電參數(shù)。甚至使功率LED失效。因此,對于LED器件,降低熱阻與結(jié)溫、對發(fā)光二極管的熱特性進行研究顯得日趨重要。