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據(jù)劉武軍介紹，鄭州市的夜景亮化工程中，行政事業(yè)單位付出的電費由財政支出;樓體亮化中開發(fā)商付出的費用，由補助40%;銀行、學校、商業(yè)建筑等所用的電費，由補助50%。"的助力，在很大程度上了夜景亮化工程的順利進行。"



近兩年農業(yè)照明產品的生產和出口出現(xiàn)了一些波動，但是從長遠看，我國農業(yè)照明領域尚處于發(fā)展的初期，未來發(fā)展的潛能，中國照明電器協(xié)會將繼續(xù)發(fā)揮行業(yè)協(xié)會的服務和協(xié)調作用，以創(chuàng)新驅動和供給行業(yè)需求，從科技創(chuàng)新、質量標準、市場融通等三個方面農業(yè)照明領域的新篇章，協(xié)會也將更加重視當前照明技術在農業(yè)領域的應用與國外水平的差距，進一步深耕農業(yè)照明領域需要關注的和方向。

樓體的亮化設計在我們生活中出現(xiàn)的越來越多，那么大家是否了解樓體亮化設計過程中常見的問題都有哪些嗎?下面詳細為大家介紹：1、樓體亮化設計需采用不同照明方式相結合，通過結合不同的照明方式，如內透光照明設計、投光照明設計、特種照明設計或者樓體輪廓照明設計，可以形成點、線、面不同的樓體照明效果，增加建筑樓體的層次感

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數(shù)μm以內產生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。

隨著LED陸續(xù)導入室內、室外照明市場，LED照明價格也大幅下降，但品質參差不齊也導致問題叢生，據(jù)指出，各地陸續(xù)訂定LED照明規(guī)范，多項強制性照明標準將從2012年起上路，將可望加速淘汰劣質品的惡性競爭，進而帶動LED照明市場洗牌效應。
由于LED照明應用日趨普遍及多元，臺灣經(jīng)濟部標準局陸續(xù)制定多項LED照明標準，繼LED路燈規(guī)范制定腳步公布，2010年底又頒布3項常見LED室內燈標準，包括LED T8直管燈管、LED投光燈以及輕鋼架燈(含平板燈)等，業(yè)界指出，盡管相關標準規(guī)范已定，但LED路燈經(jīng)過多年推廣，到2012年才可望擴大安裝，由于導入緩慢加上預算編列作業(yè)，估計要到2013~2014年才可望釋出采購標案。

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。
（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。
（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
（4）工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或此溫度范圍，發(fā)光二極管將不能正常工作，效率大大降低。
不改變材質的前提下，在LED的極限范圍內，提高亮度的手段就是提高電流，隨著電流升高，LED發(fā)熱量會劇增。使用過LED光源便攜投影機的，或微投的朋友，一定都深有體會，LED光源的投影機，非常熱，而且普遍會有明顯的噪音。這些產品，機身小是一方面，關鍵還是其自身發(fā)熱量較大所致。
隨著功率的增加，LED的散熱問題顯得越來越，大量實際應用表明，LED不能加大輸入功率的基本原因，是由于LED在工作過程中會放出大量的熱，使管芯結溫迅速上升，熱阻變大。輸入功率越高，發(fā)熱效應越大。溫度的升高將導致器件性能變化與衰減，非輻射復合增加，器件的漏電流增加，半導體材料缺陷增長，金屬電極電遷移，封裝用環(huán)氧樹脂黃化等等，嚴重影響LED的光電參數(shù)。甚至使功率LED失效。因此，對于LED器件，降低熱阻與結溫、對發(fā)光二極管的熱特性進行研究顯得日趨重要。