半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管信息我要推廣到這里
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深圳市星際金華供應(yīng)上乘原裝正品現(xiàn)貨 SI5475BDC/SI5482DU/SI5504DC分立半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 價(jià)優(yōu)物原 海量庫(kù)存 質(zhì)量保證 歡迎選購(gòu) 實(shí)單有接受價(jià)可直說 產(chǎn)品規(guī)格： SI5475BDC FET 類型 P 溝道..05月09日 -
BLM8205B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS (ON)、低柵極電荷和低至2.5v的柵極電壓。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。 一般特征 ● VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V ..05月18日
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MOS管型號(hào)：HG1019D 參數(shù)：100V 1 封裝：DFN3333 內(nèi)阻：50mR(Vgs=10V) 60mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容：310pF 開啟電壓：1.8V 應(yīng)用領(lǐng)域：加濕器、霧化器、美容儀、香薰機(jī)等 【100V..01月07日
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高壓MOS 國(guó)內(nèi)產(chǎn)品存在問題： 產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)： 高溫（150℃）漏電大； 電磁輻射EMI難解決； 產(chǎn)品品質(zhì)： 老化考核后產(chǎn)品擊穿電壓跌落； 可靠性難以符合工業(yè)要求； 同質(zhì)化嚴(yán)重，技術(shù)陳舊10月10日
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深圳市星際金華公司優(yōu)勢(shì)大量貨源出售【分立半導(dǎo)體產(chǎn)品STW20NM60FDN溝道場(chǎng)效應(yīng)管】產(chǎn)品價(jià)格實(shí)在，質(zhì)量有保證?。?！ 星際金華熱銷【分立半導(dǎo)體產(chǎn)品STW20NM60FDN溝道場(chǎng)效應(yīng)管】原裝現(xiàn)在可出售02月08日
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KIA半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)專注于功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)，2007年在韓國(guó)浦項(xiàng)工科大學(xué)（NINT）內(nèi)擁有專業(yè)跨國(guó)合作的設(shè)計(jì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)和8英寸VD-MOS晶圓廠。成功完成MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)定型，05月11日
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1000.00元回收?qǐng)鲂?yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價(jià)、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫(kù)存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..10月09日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..10月09日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..10月09日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..10月09日
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場(chǎng)效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻(xiàn)和應(yīng)用場(chǎng)景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強(qiáng)調(diào)金屬-氧化物-半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..10月09日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測(cè)項(xiàng)目外觀質(zhì)量、性能測(cè)試、功..10月08日
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PMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月08日
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場(chǎng)效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測(cè)試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號(hào)及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月08日
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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及高速信號(hào)切換等應(yīng)用的理想選..09月11日
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**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..09月11日
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供應(yīng)P&N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)惠，歡迎訂購(gòu)。09月06日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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