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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月23日 -
羅姆SIC碳化硅半導體功率元器件 公司簡介 源芯半導體有限公司專注于SiC功率元器件、SiC(碳化硅)MOSFET、SiC SBD肖特基勢壘二極管、全SiC功率模塊、及碳化硅周邊IC等代理分銷。授權(quán)代理品牌有02月27日
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公司簡介 源芯半導體有限公司專注于SiC功率元器件、SiC(碳化硅)MOSFET、SiC SBD肖特基勢壘二極管、全SiC功率模塊、及碳化硅周邊IC等代理分銷。授權(quán)代理品牌有：ROHM、CREE品牌代理與經(jīng)銷。我司02月27日
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MOS管導通特性PRM028V04E2，MOS管導通特性 導通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就05月28日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月01日
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SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載..10月01日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月01日
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肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..10月01日
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肖特基二極管作為一種獨特的半導體器件，在PCB電路設(shè)計與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..10月01日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..10月01日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..10月01日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..10月01日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..10月01日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月01日
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肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（..10月01日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..10月01日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月01日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..10月01日
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SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載..10月01日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月01日
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