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晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反..11月29日 -
換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層存載流子復合所產生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現換相振..12月10日
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晶閘管的分類：（一）按關斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多..12月10日
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性價比高的高壓固態(tài)軟起動必須要看的達標要求：起動過程中和運行過程中的噪聲大小。起動過程中和運行過程中耗散功率的大小。起動/停車過程中高次諧波含量。12月09日
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眾所周知，晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱，有的時候也叫可控硅整流器，以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導體構成的，它有著陽極、陰極和門極這三個極組成的。從工業(yè)上來說，普通的晶..12月09日
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晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反..12月09日
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電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PN..12月06日
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晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。3.晶閘管在導通情況..12月03日
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性價比高的高壓固態(tài)軟起動必須要看的達標要求：起動額度呢？控制的快速性呢？起動裝置的體積和重量呢？.對使用環(huán)境的適應性怎么樣？重復起動時起動性能的是否一致？起動和停止方式是否多樣化..12月03日
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電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PN..12月02日
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性價比高的高壓固態(tài)軟起動必須要看的達標要求：起動/停車過程中的平滑性，穩(wěn)定性如何。起動/軟停車參數調整的方便性。裝置本身以及電動機綜合保護功能的12月02日
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晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反..12月01日
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眾所周知，晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱，有的時候也叫可控硅整流器，以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導體構成的，它有著陽極、陰極和門極這三個極組成的。從工業(yè)上來說，普通的晶..12月01日
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性價比高的高壓固態(tài)軟起動必須要看的達標要求：.過負載能力問題。起動電流問題。起動過程中的大電網電壓降值%。11月30日
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換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層存載流子復合所產生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現換相振..11月30日
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晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反..11月29日
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晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。3.晶閘管在導通情況..11月27日
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晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反..11月20日
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眾所周知，晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱，有的時候也叫可控硅整流器，以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導體構成的，它有著陽極、陰極和門極這三個極組成的。從工業(yè)上來說，普通的晶..11月20日
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交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的&nbs..11月20日
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