燒結(jié)銀漿AS9376作為一種專為計算(HPC)設(shè)計的低溫?zé)Y(jié)材料,其特的無壓燒結(jié)工藝、高導(dǎo)電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應(yīng)用分析及技術(shù)價值:
無壓燒結(jié)銀AS9376解決方案:
?低溫?zé)Y(jié)工藝:在180℃下形成致密銀層,密度接近理論值(10.5 g/cm3),孔隙率<2%。
?高導(dǎo)電性:電阻率低至1.6 μΩ·cm,支持高頻信號傳輸(帶寬提升30%)。
假設(shè)?案例:用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊,互連密度達(dá)10?/cm2,功耗降低15%。
無壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn):
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)(尺寸<100 nm),避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案:
?低應(yīng)力燒結(jié):燒結(jié)過程對硅基板應(yīng)力<5 MPa,振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封:通過無壓燒結(jié)實現(xiàn)氣密性封裝(漏率<1×10?? Pa/m3),壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例:博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝,體積縮小30%,成本降低20%。
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