合慶鎮(zhèn)金屬鉭回收售后保障鉭塊回收

更新時間1：2025-10-06 信息編號：442rmv5jc5b6c1 舉報維權(quán)

供應(yīng)商	上海增雨實業(yè)有限公司店鋪
認(rèn)證
報價	人民幣 15000000.00元
關(guān)鍵詞	合慶鎮(zhèn)金屬鉭回收,南匯金屬鉭回收,唐鎮(zhèn)金屬鉭回收,金屬鉭回收批發(fā)代理
所在地	上海市松江區(qū)泖港鎮(zhèn)中厙路167號196室

吳經(jīng)理

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8年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

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利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭，反應(yīng)式如下：2Ta+N2=2TaN。

用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻