深圳GSI鉭鈮礦檢測(cè)技術(shù)有限公司擁有大型的實(shí)驗(yàn)室，配備精良的測(cè)試儀器，與華南地區(qū)各實(shí)驗(yàn)室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測(cè)認(rèn)證通道；幫助客戶減少開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時(shí)獲得各國(guó)市場(chǎng)的準(zhǔn)入證。

集四海鉭鈮礦化驗(yàn)，我司服務(wù)宗旨：科學(xué).公正.準(zhǔn)確.。我司將以合理的價(jià)格.的服務(wù),的檢測(cè)技術(shù)為廣大顧客服務(wù). 歡迎您來(lái)電咨詢.洽談!

深圳GSI鉭鈮礦化驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)"以"行為公正、方法科學(xué)、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶至上"的服務(wù)宗旨，愿以準(zhǔn)確的檢驗(yàn)、公正的、快捷的代理、滿意的咨詢竭誠(chéng)為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內(nèi)容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶信賴的技術(shù)合作伙伴。

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達(dá)４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構(gòu)變化的原因

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化

氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對(duì)密度為13.4，熔點(diǎn)為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過(guò)氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700～1000℃下使鉭粉和氮?dú)夥磻?yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。

【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。

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