用作超硬質材料添加劑,可制備純的五氯化鉭:用于噴涂,增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性
一定工作壓力下,制備的氮化鉭薄膜硬度高達4000kg/mm2以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因,并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因
利用磁控反應濺射技術制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術研究了薄膜的微觀結構。研究結果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細小(16nm左右);同時還發(fā)現,在一定工作壓力下,隨著氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長的晶面會有改變。
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的,若無許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉,陰涼通風干燥處
氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為TaN,分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻
氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結構,晶格常數α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點3090℃,電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa,超導轉變溫度1.2K。耐酸性能好,不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸,易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質同晶混合物,和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700~1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點制造電阻薄膜器件。
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