而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫燒結(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫燒結(jié)技術(shù)大大提升了導熱及導電性能，可滿足對于第三代半導體高功率器件的電子互聯(lián)應用。
AS9330半燒結(jié)銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫燒結(jié)并且粘接力穩(wěn)定。剪切強度高達45MPA。
AS9330結(jié)合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品（無需昂貴或復雜的加工，又能確保與傳統(tǒng)材料同等或更優(yōu)的性能）的封裝而言，AS9330燒結(jié)銀可以全面滿足他們的需求，同樣也為實現(xiàn)第三代半導體功率的電子互聯(lián)提供很好解決方案。
半燒結(jié)銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結(jié)的界面2 假設界面表面能太低，建議提高界面表面能.
半燒結(jié)銀AS9330粘結(jié)尺寸過大時，建議一個界面開導氣槽； 一個界面涂布燒結(jié)銀AS9330時，涂布的要均勻
將芯片放到涂有半燒結(jié)銀AS9330的界面上時，建議加一點壓力到上界面壓一下； 燒結(jié)時需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等
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