當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當務之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強的實用價值,已引起人們的密切關注。
鉭 Ta,金屬元素,主要存在于鉭鐵礦中,同鈮共生。鉭的硬度適中,富有延展性,可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學性質(zhì),具有的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應
驗,鉭在常溫下,對堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用,僅在氫氟酸和熱作用下有所反應。這樣的情況在金屬中是比較的。
冶煉方法:鉭鈮礦中常伴有多種金屬,鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以制取鉭、鈮的純化合物,后制取金屬。
在制取各種無機酸的設備中,鉭可用來替代不銹鋼,壽命可比不銹鋼提高幾十倍
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