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供應商	廣東佳訊電子有限責任公司店鋪
認證
報價	面議
關鍵詞	馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號139室

產品詳細介紹

SiC 肖特基勢壘二極管在 1985 年問世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基勢壘高度用電容測量是 1.15 (±0.15) eV，用光響應測量是 1.11 (±0.03) eV，它的擊穿電壓只有8 V，只6H-SiC肖特基二極管的擊穿電壓大約有200 V，它是由 Glover. G. H 報道出來的。Bhatnagar 報道了個高壓 400 V 6H-SiC 肖特基勢壘二極管，這個二極管有低通態(tài)壓降（1 V），沒有反向恢復電流。隨著碳化硅單晶、外延質量及碳化硅工藝水平不斷地不斷提高，越來越多性能的碳化硅肖特基二極管被報道。1993 年報道了只擊穿電壓超過 1000V的碳化硅肖特基二極管，該器件的肖特基接觸金屬是 Pd，它采用 N 型外延的摻雜濃度1×10cm，厚度是 10μm。的4H-SiC單晶的在 1995 年左右出現(xiàn)，它比6H-SiC的電子遷移率要高，臨界擊穿電場要大很多，這使得人們更傾向于研究4H-SiC的肖特基二極管。

功率二極管是功率半導體器件的重要組成部分，主要包括 PiN 二極管，肖特基勢壘二極管和結勢壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢壘的形成及其主要電流輸運機理。并詳細介紹了肖特基二極管和結勢壘控制肖特基二極管的電學特性及其工作原理，為后兩章對 4H-SiC JBS 器件電學特性的仿真研究奠定了理論基礎。

金屬與半導體接觸時，載流子流經肖特基勢壘形成的電流主要有四種輸運途徑。這四種輸運方式為：

1、N 型 4H-SiC 半導體導帶中的載流子電子越過勢壘頂部熱發(fā)射到金屬；

2、N 型 4H-SiC 半導體導帶中的載流子電子以量子力學隧穿效應進入金屬；

3、空間電荷區(qū)中空穴和電子的復合；

4、4H-SiC 半導體與金屬由于空穴注入效應導致的的中性區(qū)復合。

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導體器件效率更高，運行速度更快，能夠有效降低產品成本、體積及重量。

肖特基二極管，又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘，實現(xiàn)整流。與普通PN結二極管相比，肖特基二極管的反向恢復慣性非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。

碳化硅肖特基二極管可廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著工作頻率的提高，電感等無源原件的體積相應下降，整個電路板的體積下降30%以上。