DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發(fā)展領域之一。
眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內部Rth(j-c)熱阻之權重，是不言而喻的。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不僅能顯著提高芯片連接的導電性、導熱性，以及芯片連接的可靠性，并對整個模塊的性能進行優(yōu)化，還能幫助客戶提高生產(chǎn)率，降低芯片的破損率，加速新一代電力電子模塊的上市時間。
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