深圳GSI鉭鈮礦檢測技術(shù)有限公司擁有大型的實驗室,配備精良的測試儀器,與華南地區(qū)各實驗室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測認(rèn)證通道;幫助客戶減少開發(fā)風(fēng)險、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本;及時獲得各國市場的準(zhǔn)入證。
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研究表明,影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對密度為13.4,熔點為3090℃,顯微硬度為1100kg/mm2,熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K),電阻率為128μΩ·cm
氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得;
2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭,反應(yīng)式如下:2Ta+N2=2TaN。
氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為TaN,分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻
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